柴田 肇 | (独)産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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柴田 肇
(独)産業技術総合研究所
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柴田 肇
電総研
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反保 衆志
産総研
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柴田 肇
産総研
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柴田 肇
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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反保 衆志
産業技術総合研究所
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仁木 栄
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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柴田 肇
産総研エレクトロニクス
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仁木 栄
産総研
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高増 正
物材機構
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前島 圭剛
(独)産業技術総合研究所
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今中 康貴
物材機構
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今中 康貴
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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高増 正
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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竹端 寛治
物材機構
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横井 裕之
熊大自然
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松原 浩司
(独)産業技術総合研究所
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反保 衆志
(独)産業技術総合研究所
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山田 昭政
(独)産業技術総合研究所
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石塚 尚吾
(独)産業技術総合研究所
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仁木 栄
(独)産業技術総合研究所
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仁木 栄
産業技術総合研究所
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横井 裕之
熊大院自然
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黒田 規敬
熊大院自然
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山田 昭政
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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松原 浩司
産総研
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横井 裕之
産総研
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津川 晃一
熊大院自然
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熊谷 雄児
熊大院自然
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竹端 寛治
物材機構ナノマテ研
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松原 浩司
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
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反保 衆志
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター
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石塚 尚吾
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
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柴田 肇
産業技術総合研究所
著作論文
- ZnO系混晶材料を用いた透明導電膜の開発
- 26aXD-5 ZnO 2次元電子系のサイクロトロン共鳴(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pZB-9 MBE成長Zn_Mg_xO/ZnO/sapphireの斜入射ヘテロ残留線反射(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 25aWQ-11 ZnMgO/ZnOヘテロ接合試料における磁気光学測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- ZnO系エピタキシャル薄膜の高品質化とヘテロ接合
- 酸化亜鉛薄膜のデバイスへの応用 (特集 酸化亜鉛の新展開(2))
- 酸化亜鉛系薄膜の高品質化とデバイスへの応用 (特集 可能性広がる酸化亜鉛--実用化に向けた開発動向を探る)
- 紫外線を高効率で発光する半導体材料Zn[1-x]Mg[x]Oの開発 (特集 新素材開発が拓く新領域)
- CuInSe2エピタキシャル薄膜からの励起子発光 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--光物性)