PZT薄膜強誘電体メモリ(FRAM)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 静電気学会の論文
• 1998-12-10

著者

• 高須 秀視

  ローム株式会社

関連論文

• CuInGaSe_2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
• 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
• 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
• STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
• STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
• 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
• PZT薄膜強誘電体メモリ(FRAM)
• ラジカルソースMBEによるSi基板上ZnO薄膜の作製
• 半導体グレードの酸化物単結晶薄膜
• RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
• パートナーシップにおける質の変化とそのマネジメント : 最も遅く研究に着手しても, 最も早く製品化するには(「マネジメントにおける質(Quality)の変化・拡大-21世紀の管理技術の体系化をめざして-」)
• RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク