神澤 公 | ローム(株)
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概要
関連著者
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神澤 公
ローム(株)
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中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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中尾 雄一
ローム株式会社VLSI研究開発部
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神澤 公
ローム株式会社vlsi研究開発部
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松本 宗之
ローム(株)
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高須 秀視
ローム株式会社研究開発本部
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松本 宗之
ローム(株)lsi技術部
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神澤 公
ローム(株)半導体プロセス研究開発部
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高須 秀視
ローム株式会社
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阪本 達哉
ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部
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鈴木 恵友
ローム(株)
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阪本 達哉
ローム(株)
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鈴木 恵友
ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部
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神澤 公
ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部
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藤森 敬和
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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中村 孝
ロームVLSI研究開発部
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中尾 雄一
ロームVLSI研究開発部
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干場 一博
ロームVLSI研究開発部
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鮫島 克己
ロームVLSI研究開発部
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神澤 公
ロームVLSI研究開発部
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高須 秀視
ロームVLSI研究開発部
-
奥 良彰
ローム(株)研究開発本部
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奥 良彰
ローム(株)半導体プロセス研究開発部
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鈴木 恵友
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)生産技術研究部
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中村 孝
ローム(株)半導体ディバイス研究開発部
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泉 直希
ローム(株)
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藤森 敬和
ローム(株)
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中尾 雄一
ローム(株)
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中村 孝
ローム(株)
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中村 孝
ローム株式会社
著作論文
- スラリーレスCuCMP新技術
- 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
- 強誘電体薄膜のNDRO不揮発性メモリ応用への研究
- Ir系電極を用いた強誘電メモリ形成技術
- 次世代LSIに向けた新Cu-CMP技術について