中野 佑紀 | 京大院・工

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概要

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関連著者

• 中野 佑紀

  京大院・工

• 中野 佑紀

  ローム株式会社研究開発本部

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 須田 淳

  JSTさきがけ

• 木本 恒暢

  京大院・工

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 中村 孝

  ローム株式会社

• 木本 恒暢

  京大

• 中野 佑紀

  ローム株式会社

• 中村 孝

  ローム株式会社半導体デバイス研究開発部

• 高須 秀視

  ローム株式会社

• 中村 亮太

  ローム株式会社研究開発本部

• 長尾 勝久

  ローム株式会社研究開発本部

• 高須 秀視

  ローム株式会社研究開発本部

• 中野 佑紀

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 明田 正俊

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 大塚 拓一

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 花田 俊雄

  ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

• 中村 亮太

  ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター

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著作論文

• 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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