木本 恒暢 | 京大院・工

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概要

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関連著者

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京大院・工

• 甘利 浩一

  東京理科大学大学院

• 甘利 浩一

  京大院・工

• 須田 淳

  京大院・工

• 中野 佑紀

  ローム株式会社研究開発本部

• 中野 佑紀

  京大院・工

• 須田 淳

  JSTさきがけ

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京大

• 木本 恒暢

  京都大学工学研究科電子工学専攻

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著作論文

• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合 電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響

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