甘利 浩一 | 京大院・工

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概要

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• 同名の論文著者
• 京大院・工の論文著者

関連著者

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 甘利 浩一

  東京理科大学大学院

• 木本 恒暢

  京大院・工

• 甘利 浩一

  京大院・工

• 須田 淳

  京大院・工

• 木本 恒暢

  京都大学工学研究科電子工学専攻

著作論文

• n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合 電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響

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