傾角注入によるSbエクステンション-ゲート間のオーバーラップ制御
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概要
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ゲート長100nmのMOSFETのソース・ドレイン・エクステンション形成のためにアンチモンの傾角注入を行なった。傾角注入はエクステンション-ゲート電極間のオーバーラップ調整に非常に有用である。傾角注入によって、短チャンネル効果の増大を招くことなくMOSFET駆動電流を向上することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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前田 展秀
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
鬼松 大
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
石川 宜識
広島大学ナノデバイヌ・システム研究センター
-
鬼松 大
広島大学ナノデバイヌ・システム研究センター
-
前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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