Sub-keV As^+注入における深さ方向プロファイルの評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

概要

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10nm以下の接合深さを持つextension形成のために必要な1keV以下の低エネルギーで注入されたAs^+の深さ方向プロフィルを調べた。一次イオンエネルギー300eVのCs^+照射によるSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)測定から得られたAsプロファイルのtail部の傾きは、シミュレーションより求めたプロファイルの傾きよりもずっと緩やかであった。また、シミュレーションと比べると、実測のピークは浅く、接合深さは深く求まる傾向が見られた。Cs^+照射によるミキシング効果を考慮したモデル計算を行った結果、約1nmのミキシング層の存在を仮定すると、これらの差異を説明することができた。フィッティングにより求められたミキシング層厚さは、一次イオンのエネルギーを低下させてもあまり低減できず、単にCs^+エネルギーを低下させることでは、正確なAsの深さ方向プロファイルを得ることが困難な状況をよく説明している。また表面側では、Si上に1.4nmの厚さの表面層が存在した。この厚さは深さ10nm以下の接合では無視することのできない量であり、5keVでAs^+を注入した場合に形成された表面層0.4nmよりも1nm厚かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-12-09