低エネルギーイオン照射による表面欠陥の生成と回復
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27aRD-10 Ag/Si(111)上に吸着した水素原子のTPD測定におけるAg膜厚効果(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27pYH-1 6H-SiC(0001)再構成表面における水素脱離特性(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
30pRD-4 Si(111)基板上におけるAg(111)薄膜の表面準位に対する膜厚・転位・量子閉じ込めの影響(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21aXB-9 Si(111)表面上にelectronic growthしたAg超薄膜の臨界膜厚制御(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pXA-2 Si(111)√√表面上のGeエピタキシャル成長のSTM観察(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21pXJ-2 Si(111)表面上Ag超薄膜のelectric growthにおける量子効果とkineticsの競合(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
25pYH-4 Si(111)√x√-Ag表面への2次元量子構造の構築(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21pYE-2 Si(111)表面上Ag成長に伴うSHG強度振動へのサーファクタント効果(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24pXC-8 金多層ヘリカルナノワイヤのコンダクタンス計測(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
24pWB-13 Si(111)7×7表面上Ag薄膜内量子準位からの2光子共鳴光第二高調波発生(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
21aYE-8 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス III : 非整数コンダクタンス
-
21aYE-7 金 HMS ナノワイヤの量子化コンダクタンス II : 整数コンダクタンス
-
21aYD-11 Ge/Si(001) 表面におけるダイマー鎖上の 1 次元電子状態
-
21aYD-8 Si(111)7x7 表面への Ag 低温蒸着時の SHG 強度振動
-
25aWS-2 Si(111)基板上にエピタキシャル成長したAg超薄膜表面上のBi原子吸着構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25aWS-1 Ag/si(111)√xR30°-B界面における水素吸着(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
タングステン探針によってシリコン(111)表面に誘起される歪みの反射型電子顕微鏡観察
-
REM-STMによるSTM探針・表面相互作用の研究
-
サマリー・アブストラクト
-
低エネルギーイオン照射による表面欠陥の生成と回復
-
27pPSA-28 水素吸着したSi(111)√3x√3-B表面における昇温脱離測定とSTM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aTH-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aHA-6 ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(II)(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21pHA-1 エピタキシャルグラフェン成長過程に及ぼすB原子の影響(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
固体表面の電子状態
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク