住友 弘二 | NTT基礎研
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概要
関連著者
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住友 弘二
NTT基礎研
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西岡 孝
Ntt基礎研
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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池田 敦
立命館大学
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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城戸 義明
立命館大理工
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
池田 敦
立命館大理工
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清水 延男
NTT基礎研
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
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尾浦 憲治郎
阪大工
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生地 文也
阪大工
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田中 保宣
阪大工
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廣田 幸弘
NTT基礎研究所
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篠田 幸信
NTT基礎研
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片山 逸雄
大阪工大 一般教育科
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福田 常男
NTT基礎研究所
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片山 逸雄
大阪工業大学応用物理教室
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木下 敏宏
阪大工
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生地 文也
九共立大工
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生地 文也
九州共立大学工学部
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城戸 義明
立命館大学理工
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尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
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工藤 博
筑波大数物
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工藤 博
筑波大物工
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楢本 洋
原研高崎
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山本 春也
原研高崎
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山本 春也
原子力機構
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中村 直樹
愛媛大工
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中村 直樹
筑波大物工
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渋谷 光樹
筑波大物工
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鳴海 一雅
原研高崎
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関 整爾
SSL筑波
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渡辺 義夫
NTT基礎研
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渡辺 義夫
Spring-8 Jasri
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渡辺 義夫
Ntt物性科学基礎研究所
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楢本 洋
原子力機構先端基礎セ
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鳴海 一雅
原子力機構先端基礎セ
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鳴海 一雅
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
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城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
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小林 慶裕
NTT基礎研
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小林 慶裕
阪大
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関整 爾
加速器センター
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工藤 博札
筑波大数理物質科学研究科
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Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
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荻野 俊郎
横浜国立大学
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Prabhakaran Kuniyil
NTT基礎研究所
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日比野 裕樹
NTT基礎研
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工藤 博
筑波大学物理工学系
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荻野 俊郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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城戸 義明
立命館大学理工学部
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池田 敦
立命館大学理工
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住友 弘二
NTT基礎研究所
著作論文
- 28a-XK-9 イオン誘起2次電子によるSi L殻電子のイオンビームシャドーイング測定
- 脱溶存酸素・超純水洗浄処理 GaAs(001) 表面に対する熱処理の影響
- 29p-F-9 中エネルギーイオン散乱・表面エネルギー損失分光によるSi(001)2×1-Ge相互拡散分析
- 50, 100keV H^+に対するSi(001)2×1:Sb表面における阻止能とエネルギーストラグリング
- 27a-S-3 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiおよびGeの阻止能とストラグリング
- 30p-YB-5 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiの阻止能とストラグリング
- 脱溶存酸素・超純水によるGaAs(001)表面の洗浄および洗浄表面に対する熱処理の効果
- 中速イオン散乱法によるi(001)基板上Sbダイマーの構造解析
- 3a-J-5 中速イオン散乱法による Si (001) 基板上のGeダイマーの構造解析
- 材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成
- 30a-H-1 Si(001)ステップ端の原子構造
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-5 中速イオン散乱(MEIS)によるSi(111)-(√×√)Pbの構造解析
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- 1a-W-1 100keVH^+に対するSb/Si(001)の表面における阻止能とエネルギーストラグリング(1aW 放射線物理,放射線物理)