生地 文也 | 九共立大工

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• 生地 文也

  九共立大工

• 生地 文也

  阪大工

• 尾浦 憲治郎

  阪大工

• 尾浦 憲治郎

  大阪大学大学院

• 塙 輝雄

  阪大工:(現)大阪

• 生地 文也

  九州共立大学工学部

• 塙 輝雄

  阪大工

• 生地 文也

  九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科

• 楠村 浩一

  阪大工

• 片山 逸雄

  大阪工大 一般教育科

• 片山 逸雄

  大阪工業大学応用物理教室

• 山田 晶彦

  阪大工

• 田中 保宣

  阪大工

• 木下 敏宏

  阪大工

• 住友 弘二

  阪大工

• 永田 三郎

  神大、工

• 住友 弘二

  NTT基礎研

• 柏原 慶一朗

  阪大工

• 小林 忠司

  阪大工

• 永田 三郎

  神戸大学工学部

• 上野 義典

  阪大工

• 生地 文也

  神戸大学工学部

• 塙 輝雄

  大阪大学工学部

• 高津 宏幸

  阪大工

• 田中 宏

  阪大工

• 大倉 重治

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専政

• 山田 昌彦

  阪大工

• 岡島 弘明

  阪大工

• 川本 清

  大阪大学工学部電子工学科

• 川本 清

  阪大工

• 森下 秀樹

  阪大工

• 尾浦 憲冶郎

  阪大工

• 田中 顕一郎

  阪大工

• 塙 輝雄

  神戸大学工学部

• 永田 三郎

  神大 工

• 塙 輝雄

  神大工

• 永田 三郎

  神大工

• 田中 保寛

  阪大工

• 白水 達也

  阪大工

• 坂元 盛浩

  阪大工

• 大倉 重治

  阪大工

• 生地 文也

  大阪大 工

• 塙 輝雄

  大阪大 工

• 斉藤 光親

  阪大工

• 生地 文也

  大阪大学工学部, 電子ビーム研究施設

• 生地 文也

  神大工

• 上根 昌彦

  阪大工

• 塙 輝男

  阪大工

• 尾浦 憲次郎

  大阪大学工学部電子ビーム研究施設

• 生地 文也

  大阪大学工学部

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  大阪大学工学部電子ビーム研究施設

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著作論文

• 1p-TA-7 低エネルギー反跳イオン分光(LE-RIS)によるSi(100)表面の水素吸着過程
• 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
• 29p-P-7 非同軸型低速イオン散乱による化合物表面の解析
• 27p-PSA-9 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態
• 28p-ZF-4 表面モディフィケーションと薄膜成長過程
• 30a-PS-3 低エネルギー反跳イオン分光法によるSi(100)-1×1:2H表面水素の観察
• 3p-B-11 低エネルギー希ガスイオンによるSi表面水素反跳にみられる非弾性過程 II
• 30p-YS-12 低エネルギー希ガスイオンによるSi表面水素反跳にみられる非弾性過程
• 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
• 5p-E-7 水素終端Si(111)上のAg成長過程のTOF-ICISS観察
• 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
• 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
• 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
• 薄膜の物理的性質評価-4-膜の内部応力評価
• 内部応力 (薄膜の機械的性質の評価法(技術ノ-ト))
• 28p-PSB-21 低エネルギー反跳イオン分光法によるSi(100)-1x1:2H表面水素の観察
• 13a-PS-17 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態III
• 29p-PSB-5 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態II
• 29p-PS-15 低エネルギーリコイルイオン分光法による Si(100)-2x1:H 表面水素の観察
• 29p-BPS-60 低エネルギーイオンビームによるSi表面水素の反跳過程
• 25p-G-11 水素吸着Si表面からの低エネルギー反跳水素イオンのエネルギー分布 I
• 1p-TA-6 Arイオン衝撃Si(100)表面のTOF-ICISS
• 金属製精密球面グリッド製作法
• Stress in Evaporated Iron Films
• 5p-P-4 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
• 2p-RL-5 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
• 29a-SA-6 高分解能分光法による固体表面からの低エネルギーHe^+イオンの散乱
• 3a-NT-6 SiおよびAl表面からのHe^+イオン(≤1.5KeV)散乱にみられる非弾性効果
• 31p-J-12 LEED, ISSによるPb/Si(111)系の超格子構造の観察
• 低速イオン散乱 (表面構造の解析手法(技術ノ-ト))
• 2a-D-4 Si(111)表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(III)
• 29a-F-11 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(II)
• 2p GD-12 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱
• 蒸着膜の内部応力測定に対する注意 : 表面物理, 薄膜
• 非晶質蒸着薄膜の内部応力 : 表面物理・薄膜
• 31p-P-4 金属表面からの低エネルギー(≤2keV)He^+イオンの散乱スペクトル
• 低速イオン散乱分光装置

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