生地 文也 | 阪大工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
生地 文也
阪大工
-
尾浦 憲治郎
阪大工
-
生地 文也
九共立大工
-
生地 文也
九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科
-
塙 輝雄
阪大工
-
生地 文也
九州共立大学工学部
-
塙 輝雄
阪大工:(現)大阪
-
尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
-
片山 逸雄
大阪工業大学応用物理教室
-
片山 逸雄
大阪工大 一般教育科
-
住友 弘二
阪大工
-
内藤 正路
阪大工
-
内藤 正路
九州工業大学大学院工学研究院
-
田中 保宣
阪大工
-
尾崎 裕一
阪大工
-
木下 敏宏
阪大工
-
斉藤 光親
阪大工
-
大西 秀朗
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター
-
柏原 慶一朗
阪大工
-
田中 顕一郎
阪大工
-
楠村 浩一
阪大工
-
大西 秀朗
阪大工
-
住友 弘二
NTT基礎研
-
小林 忠司
阪大工
-
森岡 肇
阪大工
-
田辺 達也
阪大工
-
高津 宏幸
阪大工
-
田中 宏
阪大工
-
広瀬 孝昭
阪大 工
-
大倉 重治
大阪大学大学院工学研究科電子工学専政
-
武田 薫
福岡工大
-
安藤 忍
阪大工
-
梅沢 憲司
阪大工
-
村上 寛
電総研
-
工藤 勲
電総研
-
山根 淳二
阪大工
-
小野 雅敏
電総研
-
岡島 弘明
阪大工
-
後藤 敬典
名工大
-
成沢 忠
ニューヨーク州立大
-
川本 清
大阪大学工学部電子工学科
-
川本 清
阪大工
-
片山 光浩
阪大工
-
西守 克己
鳥取大工
-
堀越 源一
高エネ研
-
徳高 平蔵
鳥取大工
-
小宮 宗治
日本真空技研
-
森下 秀樹
阪大工
-
尾浦 憲冶郎
阪大工
-
坂口 幸助
無機材研
-
柴田 久雄
近畿大学九州理工学部
-
簑田 和之
石川島播磨重工業(株)技術研究所
-
山中 久彦
大阪府立工業奨励館
-
田中 彰博
東大生研
-
高島 克己
鳥取大工
-
清水 清之
阪大工
-
町田 和雄
電総研
-
戸田 義継
電総研
-
清水 三郎
日本真空技術
-
田中 保寛
阪大工
-
山田 晶彦
阪大工
-
坂元 盛浩
阪大工
-
田中 秀直
阪大工
-
大倉 重治
阪大工
-
辻 泰
東大生研
-
石川 和雄
名工大
-
水野 元
高エネ研
-
森田 晋作
真空器械工業K.K
-
平田 正紘
電総研
-
中山 勝矢
電総研
-
井沢 洋介
阪大工
-
広瀬 孝昭
阪大工
-
冨田 雅己
阪大工
-
尾浦 憲次郎
阪大工
-
小林 正典
東大生研
-
三角 明
日立製作所茂原工場
-
川下 安司
神港精機 (株)
-
鈴木 明
神港精機 (株)
-
吉川 秀司
日本真空技術
-
桐谷 仁
日本真空技術株式会社
-
内田 健治
無機材研
-
宮長 博昭
近畿大学
-
綱沢 栄二
大阪府立工業技術研究所
-
稲垣 賢一郎
大阪府立工業技術研究所
-
上根 昌彦
阪大工
-
塙 輝男
阪大工
-
曽根 和穂
日本原子力研究所
-
伊東 孝
真空器械工業株式会社
-
石黒 勝彦
東大・大学院
-
杉山 康夫
日本真空技術K.K.
-
入戸野 修
東工大
-
荒川 一郎
日本真空技術K.K.
-
中曽根 正美
神港精機
-
石丸 肇
高エネ研
-
北条 久男
電総研
-
小田切 耀
真空器械工業
-
山口 博
高エネ研
-
川野 宏
名工大
-
本間 頑一
東大生研
-
畑野 東一
無機材研
-
小川 倉一
大工技研
-
滝口 勝美
大工技研
-
塩山 忠義
大工技研
-
松田 浩身
大工技研
-
植村 悌二
大工技研
-
酒井 勝弘
神港精機
-
砂原 和雄
日立製作所
-
石神 逸男
大阪府立工業技術研究所
-
森田 晋作
真空器械工業
-
桐谷 仁
日本真空技術K.K.
-
柴田 久雄
近畿大
-
清水 三郎
日本真空技術K.K.
-
川下 安司
神港精機
-
伊東 孝
真空器械工業
-
簑田 和之
石川島播磨
-
鈴木 明
神港精機
-
三角 明
日立製作所
-
宮長 博昭
近畿大
-
中山 康成
阪大工
-
片山 逸雄
大工大
-
広瀬 孝照
阪大工
著作論文
- 5p-T-5 ERDA/LEEDによるSi(111)-√×√ Ag表面への水素吸着
- 1p-TA-7 低エネルギー反跳イオン分光(LE-RIS)によるSi(100)表面の水素吸着過程
- 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
- 4p-X-5 InP(110)表面における低速He^+イオンの散乱過程
- 29p-P-7 非同軸型低速イオン散乱による化合物表面の解析
- 27p-PSA-9 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態
- 28p-ZF-4 表面モディフィケーションと薄膜成長過程
- 27p-PSA-8 Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
- 29p-BPS-59 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dのふるまいに関する研究
- 29p-BPS-51 A1単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
- 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- 5p-E-7 水素終端Si(111)上のAg成長過程のTOF-ICISS観察
- 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- 29p-PSB-5 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態II
- 29p-PS-15 低エネルギーリコイルイオン分光法による Si(100)-2x1:H 表面水素の観察
- 29p-BPS-60 低エネルギーイオンビームによるSi表面水素の反跳過程
- 25p-G-11 水素吸着Si表面からの低エネルギー反跳水素イオンのエネルギー分布 I
- 1p-TA-6 Arイオン衝撃Si(100)表面のTOF-ICISS
- 29p-PSB-4 Si(100)面上の水素吸着過程
- 24p-R-12 高エネルギーイオンERDAとLEEDによる水素、重水素吸着Si単結晶表面の研究
- 30a-TA-6 水素吸着したSi(111)表面上におけるAgのエピタキシャル成長のLEED観察
- 金属製精密球面グリッド製作法
- 6p-B4-2 TOF-ISSによるAg/Si(111)系表面の観察
- 29a-P-8 TOF型ICISS装置による表面構造解析[I]
- 29a-S-8 In表面における低速イオンの散乱過程
- 27p-C-9 低速アルカリイオン散乱によるSi(111)上のPb膜の解析
- 5p-P-4 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
- 5a-E-1 低速アルカリイオン散乱による金属/Si(111)表面の観察
- 2p-RL-5 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
- 3a-NT-6 SiおよびAl表面からのHe^+イオン(≤1.5KeV)散乱にみられる非弾性効果
- 31p-J-12 LEED, ISSによるPb/Si(111)系の超格子構造の観察
- 3p-E-3 低速イオン散乱分光によるSi(111)面上のAg薄膜の初期成長過程
- 2a-D-4 Si(111)表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(III)
- 29a-F-11 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(II)
- 2p-Q-4 Si(111)√3-Ag 表面構造のLEED,AES,ISSによる観察
- 2p GD-12 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱
- 31p-P-4 金属表面からの低エネルギー(≤2keV)He^+イオンの散乱スペクトル
- アブストラクト
- 30p-TJ-6 TOF-ICISSスペクトルにおける多重散乱の影響(30pTJ 表面・界面)
- 30p-CH-7 Si(111)表面における低速He^+イオンの中性化と非弾性散乱(放射線物理,第41回年会)
- 1p-A2-4 Na^+-ICISSによるAg/Si(111)表面構造(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)