蒸着膜の内部応力測定に対する注意 : 表面物理, 薄膜
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-03-31
著者
関連論文
- 1p-TA-7 低エネルギー反跳イオン分光(LE-RIS)によるSi(100)表面の水素吸着過程
- 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
- 29p-P-7 非同軸型低速イオン散乱による化合物表面の解析
- 27p-PSA-9 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態
- 28p-ZF-4 表面モディフィケーションと薄膜成長過程
- 30a-PS-3 低エネルギー反跳イオン分光法によるSi(100)-1×1:2H表面水素の観察
- 3p-B-11 低エネルギー希ガスイオンによるSi表面水素反跳にみられる非弾性過程 II
- 30p-YS-12 低エネルギー希ガスイオンによるSi表面水素反跳にみられる非弾性過程
- Ellipsometry, its Operational Principle and a few Examples of Performance
- 4a-B-8 MnAl(r)相のmicrostructure
- Calculation of Diffuse Diffraction by δ(Mn-Al) type One-Dimensionally Disorderd Crystal (2) : An elementary treatment taking into account of the swaying of the basic axis
- Calculation of Diffuse Diffraction by δ(Mn-Al) type One-Dimensionally Disorderd Crystal (1) : Simplified case where the swaying of the second axis is neglected
- 4a-TG-4 MnAl(r)相の構造(I)
- 1a-TG-7 δ(Mn-Ae)型層状不整格子の回折強度式
- Application of the Electron-Diffractometer Attachment to Radial Distribution Analysis of Carbon Film
- AN IMPROVEMENT OF INTENSITY PROFILE RECORD IN THE ELECTRON-DIFFRACTOMETER BY OPTICAL MEANS
- 5a-E-8 Mn-Al同時蒸着膜の結晶化(II) : Mn36at.%
- A Simple Electron-Diffractometer Attachment to Electron Microscope
- Mn-Al同時蒸着膜の結晶化(Mn〜40at%) : X線・粒子線
- Electron Diffraction Investigation of Vacuum Deposited Manganese Films
- マンガンの眞空蒸着膜の構造 : 表面物理・薄膜
- GaAs劈開面の低速電子回折 : X線・粒子線
- 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- 5p-E-7 水素終端Si(111)上のAg成長過程のTOF-ICISS観察
- 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- 薄膜の物理的性質評価-4-膜の内部応力評価
- 内部応力 (薄膜の機械的性質の評価法(技術ノ-ト))
- 28p-PSB-21 低エネルギー反跳イオン分光法によるSi(100)-1x1:2H表面水素の観察
- 13a-PS-17 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態III
- 29p-PSB-5 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態II
- 29p-PS-15 低エネルギーリコイルイオン分光法による Si(100)-2x1:H 表面水素の観察
- 29p-BPS-60 低エネルギーイオンビームによるSi表面水素の反跳過程
- 25p-G-11 水素吸着Si表面からの低エネルギー反跳水素イオンのエネルギー分布 I
- 1p-TA-6 Arイオン衝撃Si(100)表面のTOF-ICISS
- スパッタ金属膜のエピタキシャル成長
- Growth Process and Surface Topography of DC-Sputtered Gold Film
- スパッタリングによるMo膜の構造 : 薄膜
- 金属製精密球面グリッド製作法
- Mn-Al同時蒸着膜の結晶化(IV) : 逆格子の検討 : X線粒子線
- 3p-G-6 Mn-Al同時蒸着膜の結晶化(III) : 層状不整格子
- Growth Mode of Iron Film Deposited on MgO(001) Surface
- 13a-K-8 花崗岩(御影石)の電子顕微鏡観察
- Electrodes and Circuits of a LEED-AES System
- LEEDによる鉄蒸着膜の研究(II) : 薄膜
- Stress in Evaporated Iron Films
- 5p-P-4 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
- 2p-RL-5 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
- 29a-SA-6 高分解能分光法による固体表面からの低エネルギーHe^+イオンの散乱
- 3a-NT-6 SiおよびAl表面からのHe^+イオン(≤1.5KeV)散乱にみられる非弾性効果
- 31p-J-12 LEED, ISSによるPb/Si(111)系の超格子構造の観察
- 低速イオン散乱 (表面構造の解析手法(技術ノ-ト))
- 2a-D-4 Si(111)表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(III)
- 29a-F-11 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(II)
- 2p GD-12 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱
- LEED-AESによる鉄蒸着膜の研究
- オージェおよびイオン化ロスピークを利用した蒸着膜成長モードの決定
- 3a-E-2 δ(Mn-Al)型格子による回折 : 理論の拡張
- 蒸着膜の内部応力測定に対する注意 : 表面物理, 薄膜
- Diffuse Light Scattering as a Measure of Substrate Surface Roughness for Thin Film Desposition
- 非晶質蒸着薄膜の内部応力 : 表面物理・薄膜
- 31p-P-4 金属表面からの低エネルギー(≤2keV)He^+イオンの散乱スペクトル
- 低速イオン散乱分光装置
- エピタキシー研究への応用 : X線粒子線シンポジウム
- LEED-AESによるMgO (001) 面上での鉄蒸着膜の成長機構の観察
- スパッターエッチング 装置と電子顕微鏡試料作製への応用