楢本 洋 | 原研高崎
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
楢本 洋
原研高崎
-
楢本 洋
原研
-
楢本 洋
原研物理
-
楢本 洋
原子力機構先端基礎セ
-
山本 春也
原子力機構
-
山本 春也
原研高崎
-
工藤 博
筑波大数物
-
青木 康
住友重工
-
鎌田 耕治
原研
-
工藤 博札
筑波大数理物質科学研究科
-
工藤 博
筑波大学物理工学系
-
工藤 博
筑波大物工
-
青木 康
原研高崎
-
鳴海 一雅
原子力機構先端基礎セ
-
鳴海 一雅
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
-
鳴海 一雅
原研高崎
-
小沢 国夫
原研
-
小沢 国夫
原研東海
-
石原 豊之
筑波大加速器
-
竹下 英文
原研高崎
-
竹下 英文
日本原子力研究所高崎研
-
島 邦博
筑波大加セ
-
関 整爾
SSL筑波
-
山口 貞衛
千葉工業大学工学部
-
島 邦博
筑波大
-
山口 貞衛
東北大工
-
藤野 豊
東北大工
-
関整 爾
加速器センター
-
柚原 淳司
名大工
-
斎藤 勇一
原研高崎
-
小牧 研一郎
東大教養
-
藤本 文範
阪大産研
-
左高 正雄
原研機構東海
-
小牧 研一郎
東大院総合
-
石川 大
名大工
-
中村 大輔
名大工
-
曽田 一雄
名大工
-
森田 健治
名大工
-
斉藤 和雄
名工研
-
坂本 昭彦
筑波大物工
-
田辺 淳
筑波大物工
-
福生 太郎
筑波大物工
-
桑原 登
信越半導体
-
大塚 昭夫
東大教養
-
藤本 文範
東大教養
-
斎藤 勇一
原子力機構高崎
-
左高 正雄
原研
-
森田 健治
名城大
-
石井 慶之
京大 工
-
菊地 昭
茨大工
-
石井 慶之
京大工
-
小沢 国男
原研
-
中村 大輔
東大総合文化:trip Jst
-
吉沢 勲
茨城大教育
-
吉沢 勲
茨大
-
川面 澄
京都工繊大
-
川面 澄
原研
-
前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
-
笹 公和
筑波大加速器
-
笹 公和
筑波大・数理物質
-
冨田 成夫
筑波大数物
-
石井 聡
筑波大加速器
-
古谷 公哉
筑波大数物
-
内山 瑠美
筑波大物工
-
冨田 成夫
筑波大物工
-
古谷 公哉
筑波大物工
-
若松 博也
筑波大物工
-
島田 智大
筑波大物工
-
工藤 博札
筑波大物工
-
笹 公和
筑波大加セ
-
石井 聡
筑波大加セ
-
鳴海 一雅
原研先端基礎セ
-
山本 春也
岡山理大
-
金子 敏明
岡山理大
-
島 邦博
筑波大加速器センター
-
金子 敏明
岡山理大院理
-
小野 正雄
原子力機構
-
中村 直樹
愛媛大工
-
阿部 弘亨
原研高崎
-
中村 直樹
筑波大物工
-
渋谷 光樹
筑波大物工
-
住友 弘二
NTT基礎研
-
高田 清光
筑波大物工
-
関 整爾
SSL-筑波
-
中嶋 薫
京大工
-
木村 健二
京大工
-
万波 通彦
京大工
-
黒岩 貴志
筑波大物工
-
関 整爾
アルバック
-
Goppelt-Langer P.
原研高崎
-
島 邦博
筑波大物工
-
境 誠司
原研先端研
-
金子 敏明
岡山理大理
-
長壁 豊隆
原研先端研
-
長壁 豊隆
原研
-
井口 祐介
阪大基礎工
-
河裾 厚男
原研先端基礎研
-
前川 雅樹
原研先端基礎研
-
境 誠司
原子力機構
-
前田 裕司
原研東海
-
小野 正雄
原研
-
黄新 月生
熊大
-
柴田 康広
熊大
-
井口 祐介
熊大
-
陳 志権
原研
-
真下 茂
原研
-
岩瀬 彰宏
原研東海
-
真下 茂
熊本大衝撃セ
-
真下 茂
熊本大
-
河裾 厚男
原研高崎
-
数又 幸生
原研東海
-
吹田 徳雄
阪大工
-
冨田 成夫
筑波大学
-
北原 哲夫
山梨医大
-
万波 通彦
京大・工
-
中井 洋太
原研
-
阿部 弘亨
東京大学工学系研究科
-
中井 洋太
原研東海
-
川面 登
原研
-
前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
-
岡田 東一
阪大工
-
木下 智見
九大・工学部
-
木下 智見
九大・工
-
木下 智見
九大工
-
White C.W.
ORNL
-
Moore J.M.
ORNL
-
Williams J.M.
ORNL
-
岡田 東一
阪大 工
-
木下 智見
九大
-
河裾 厚男
原子力機構・先端基礎研
-
陳 志権
武漢大学
-
若松 博也
筑波大数理物質
-
吹田 徳雄
阪大 工
-
北原 哲夫
山梨医科大学物理学
-
前川 雅樹
原研 高崎研
-
中井 洋太
鈴鹿医科大
-
大道 英樹
原研高崎
-
真下 茂
熊大
-
河裾 厚男
原研
著作論文
- 25aYJ-4 クラスター誘起による2次電子のエネルギー分布(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28a-XK-9 イオン誘起2次電子によるSi L殻電子のイオンビームシャドーイング測定
- 26a-YR-2 MeV重イオンを用いた透過チャネリング法によるAg/Au/Si(111)表面の吸着構造の解析
- 30p-K-10 Ag/Au/Si(111)薄膜結晶における高エネルギー重イオンの透過チャネリング
- 5a-YC-8 結晶標的におけるイオン誘起2次電子の生成とトランスポート
- 5a-YC-5 炭素薄膜を透過したMeV Bクラスターイオンのエネルギー損失
- 28p-YD-14 100keV/u軽イオン誘起による固体からの高速2次電子放出
- 28a-S-6 高速イオンビームシャドーイング II.イオンの固体内荷電状態
- 29a-YB-4 高速イオンによる電子反跳断面積の荷電依存と固体内荷電決定
- 29a-YS-10 高速イオンのシャドーイング効果による固体結合電子の解析
- 30a-ZG-12 高速重イオンの固体内荷電とスクリーニング(放射線物理)
- 25p-L-11 高速重イオンの固体内荷電の決定
- 24aYM-2 超重力場処理後の金属間化合物(Bi_3Pb_7)の陽電子寿命測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27p-G-6 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光 (III)
- 4p-WA-3 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光 II
- 31p-M-2 黒鉛のイオン/電子照射誘起非晶質化
- 2p-G-12 Nbをイオン注入したα-Al_2O_3の表層構造
- 4a-TB-12 AH結晶における高エネルギー重イオン損傷の深さ分布
- 11p-G-4 Al合金のイオンビーム・ミキシングII
- 30a-SA-10 Al合金のイオンビーム・ミキシング
- 3a-SH-11 2元多層膜のイオンビーム・ミキシング
- 2a-G-5 Nb単結晶中に注入されたNe原子のイオンビーム解析
- 31a-BA-2 引上法によって育成したNb結晶中の転位の観察
- 31p-AB-10 重イオン照射によるBlistering
- Nb無転位単結晶の製作
- 13a-N-2 完全度の高いNb単結晶の作製(II)完全度の評価
- 14a-Q-13 銅単結晶の電子線照射焼鈍硬化(I)
- 25a-Q-4 完全度の高いNb単結晶の作製
- 23a-L-4 単色中性子線による照射硬化
- 23a-L-3 銅単結晶の電子線照射硬化 IV
- 1p-U-12 銅合金単結晶の電子線照射硬化(II)
- 10a-Q-7 LNTγ線照射したKBrの熱崩壊に伴う△での変化
- KBr結晶の低温照射硬化 : イオン結晶
- 無機物質の機能化と解析技術の高度化 (イオンビ-ムによる放射線高度利用研究--TIARAにおける研究利用の現状と成果を中心に) -- (研究利用の現状と今後の計画)
- 照射試験施設 (原子力開発の技術基盤としての材料R&D) -- (新しい材料照射試験施設と材料試験技術開発)
- エネルギ-ビ-ムを利用した機能性材料の開発 (原子力開発の技術基盤としての材料R&D)