中村 大輔 | 東大総合文化:trip Jst
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概要
関連著者
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中村 大輔
東大総合文化:trip Jst
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前田 京剛
東大総合文化:trip Jst
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前田 京剛
東大院総合
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東大総合文化:trip Jst
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中村 大輔
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中村 大輔
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財団法人 電力中央研究所
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前田 京剛
東大院総合文化:jst Trip
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嶽山 正二郎
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名大工
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東大院総合
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Erato-sorst Jst
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中村 大輔
名大工学研究科
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柚原 淳司
名大工学研究科
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森田 健治
名大工学研究科
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Gomez L.
東大総合文化:crest
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Gomez Luis
東大院総合:jst-crest
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Gomez Luis
東大総合文化:crest
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鍋島 冬樹
東大総合文化:trip Jst
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細野 秀雄
東工大応セラ:東工大フロンティア
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中村 大輔
東大物性研
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鍋島 冬樹
東大院総合:JST TRIP
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松田 康弘
東大物性研
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物性研
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松田 康弘
物性研
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今井 良宗
東大総合文化
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東大院工
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楢本 洋
原研高崎
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山本 春也
原研高崎
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山本 春也
原子力機構
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前田 京剛
東京大学大学院総合文化研究科
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鳴海 一雅
原研高崎
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斉藤 和雄
名工研
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北野 晴久
東大総合文化
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楢本 洋
原子力機構先端基礎セ
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鳴海 一雅
原子力機構先端基礎セ
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鳴海 一雅
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
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木塚 徳志
筑波大院数理
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木塚 徳志
名古屋大学難処理人工物研究センター
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木塚 徳志
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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増田 秀樹
筑波大院数理
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渋谷 雄輝
東大院総合
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北村 真一
東大総合文化
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北村 真一
東大総合
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木塚 徳志
筑波大学 大学院数理物質系 物質工学域
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van der
EcolePolytechnique
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東工大応セラ研
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鍋島 冬樹
東大総合文化
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平松 秀典
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秋池 孝則
東大総合文化
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田中 遼
東大総合文化
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塚田 一郎
TRIP,JST
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東大院工
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東大院総合
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澤部 博信
東大物性研
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東大院総合
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東大院総合
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東大総合文化
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理研フロンティア
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理研フロンティア
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田中 遼
東大総合文化:trip Jst
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東大物性研
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細野 秀雄
東京工大 応用セラミックス研
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長岡技術科学大学
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阿久津 良宏
東大院総合
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Gomez L.
東大総合文化
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Konczykovski M.
Ecole Politechnique
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澤山 高士
東大総合文化
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Gomez Luis
東大総合文化
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前田 克剛
東大総合文化
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後藤 覚
名大工
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Dhole S.D.
豊田中研
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名大工学研究科
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松田 克士
名大工学研究科
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松田 克士
名大工
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Dhole S.
名大工
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Kim Y.
Dankook University
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Van Der
Ecole Politechnique
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秋池 孝則
東大総合文化:trip Jst
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ノリ フランコ
理研フロンティア:ミシガン大学
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平松 秀典
東工大フロンティア研究機構
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中村 大輔
筑波大応理
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平松 秀典
東工大応セラ研
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嶽山 正二郎
物性研究所
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松田 康弘
物性研究所
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澤部 博信
物性研究所
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中村 大輔
物性研究所
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宮田 敦彦
物性研究所
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An K.
Korean Research Inst. of Chem. Tech.
-
中村 大輔
筑波大院数理
-
AN K.
Korea Research Institute of Chemical Technology
著作論文
- 20aGH-6 BaFe_Co_As_2及びFe(Se,Te)超伝導体におけるTHz電気伝導度(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26a-YR-2 MeV重イオンを用いた透過チャネリング法によるAg/Au/Si(111)表面の吸着構造の解析
- 30p-K-10 Ag/Au/Si(111)薄膜結晶における高エネルギー重イオンの透過チャネリング
- 23aGD-1 La_Sr_xCuO_4薄膜のテラヘルツ伝導度測定と超伝導ゆらぎ(23aGD 磁束量子系1(THz発振ほか),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aXE-10 超伝導体磁束格子で調べた摩擦現象における動的相転移(25aXE 非平衡基礎論I(分子機械・相転移),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 8a-H-8 Si(111)表面上のPb, Sn二元吸着層の加熱による組成と超周期構造の変化
- 6p-H-10 Si(111)-5/√×5/√-γ70.89゜-(Pb, Sn)表面からのPbおよびSnのイオン衝撃脱離
- 26pRK-10 La_Sr_xCuO_4薄膜におけるテラヘルツ複素伝導度のドープ量依存性(高温超伝導(光電子分光,トンネル分光,光学応答など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 30aVL-8 La_Sr_xCuO_4薄膜における擬ギャップ領域のテラヘルツ複素伝導度測定(30aVL 高温超伝導3(輸送現象・光学応答など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aQF-6 テラヘルツスペクトロスコピーを用いたLa_Sr_xCuO_4における超伝導ゆらぎの測定(22aQF 高温超伝導(輸送特性・電子ドープ系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aWQ-10 磁束格子のグラス相における緩和現象に対するサイズ効果(26aWQ 磁束量子系I(ジョセフソン磁束・渦系ダイナミクス),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pWF-4 柱状欠陥を導入した臨界電流近傍の磁束格子のダイナミクスと温度-磁場相図(磁束量子系II(銅酸化物),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20pWF-9 LSCOの駆動された磁束格子の動的状態(20pWF 磁束量子系1(渦糸相図,ジョセフソン磁束),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aZA-10 磁束量子のダイナミクスを用いた最大静止摩擦力の待機時間依存性(23aZA 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 24pW-2 Si(111)表面上の吸着Pb原子のイオン照射に対する自己修復性
- 27a-PS-48 Si(111)表面上の二元金属(Bi,Sb)吸着系の反応過程
- 27a-PS-14 STMによる(Au,Cu)/Si(111)表面の局所的原子配列
- 26a-YR-1 (Pb,Sn)/Si(111)表面のSTM観察
- 31a-PS-37 Si(111)-√×√-(Pb,Sn)表面の原子組成の温度依存
- 23pXP-10 高周波伝導度測定によるLa_Sr_xCu_O_4薄膜の超伝導ゆらぎ : ネルンスト効果との比較(23pXP 高温超伝導1(トンネル分光・輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pTJ-1 単一C_分子の直接観察(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aEE-10 不足ドープBa(Fe_Co_x)_2As_2薄膜のテラヘルツ伝導度測定(26aEE 鉄砒素系(122系2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aTD-8 C_分子の孤立状態と結晶の高分解能電子顕微鏡観察(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aGL-12 テラヘルツ伝導度からみたBa(Fe_Co_x)_2As_2の準粒子ダイナミクス(24aGL 鉄砒素系(122系電子状態・ギャップ構造),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aGH-8 次世代パルス最強磁場発生装置技術開発の現状(21aGH 実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aTE-9 一巻きコイル法によるグラフェンのランダウ準位間遷移測定(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGH-9 電磁濃縮法による超強磁場発生と磁束密度精密測定(21aGH 実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))