脱溶存酸素・超純水洗浄処理 GaAs(001) 表面に対する熱処理の影響
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概要
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脱溶存酸素・超純水洗浄(DODIW)処理HB成長GaAs(001)表面の熱処理の効果を、XPS、LEED、UPS、STM及びPLを用いて検討した。DODIW処理低キャリアー濃度(n〜8×10^<16>/cm^3)及び高キャリアー濃度(n〜2×10^<18>/cm^3)基板の表面Fermi準位は、450℃以下では、それぞれ価電子帯端(VBM)より0.85〜1.0eV、0.68〜0.8eVにある。480℃以上では、両基板表面に2×4構造が現れるものの、表面Fermi準位はVBM側に漸近する。PL測定より、この表面Fermi準位のVBM側への漸近が、熱処理により誘起される表面近傍のGa及びAs空孔欠陥に関係している事が明らかとなった。
- 1995-10-20
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