材料・プロセスイノベーションによる新構造形成への挑戦 : Si/Ge多層膜への酸素イオン注入によるSi/SiO_2/Ge多層構造の形成
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概要
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Si/Geは、元素半導体としての特徴を維持するSi系唯一のヘテロ接合材料であり、次世代デバイスの材料として研究されている。ここでは、Si/Ge系の別の側面、すなわち化学反応性が異なる材料の組合わせであることに視点をあて、ナノ構造形成の新しい概念を提出する。Si/Ge多層膜に酸素をイオン注入すると、酸素はSi/Ge界面に集中し、熱処理により繊密化する。同時に、Geを酸化膜中から掃き出し、急峻な界面が形成される。これは、半導体微細構造を起点に、半導体/絶縁体超構造を形成する新しいプロセスの可能性を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-15
著者
-
住友 弘二
NTT基礎研
-
小林 慶裕
NTT基礎研
-
荻野 俊郎
横国大
-
小林 慶裕
阪大
-
荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
-
荻野 俊郎
NTT基礎研究所
-
Prabhakaran Kuniyil
日本電信電話(株)
-
Prabhakaran Kuniyil
NTT基礎研究所
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