西岡 孝 | Ntt基礎研
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概要
関連著者
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西岡 孝
Ntt基礎研
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住友 弘二
NTT基礎研
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池田 敦
立命館大学
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城戸 義明
立命館大理工
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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山口 栄一
Ntt基礎研
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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池田 敦
立命館大理工
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清水 延男
NTT基礎研
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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篠田 幸信
NTT基礎研
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城戸 義明
立命館大学理工
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城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
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荻野 俊郎
横国大
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小林 慶裕
阪大
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荻野 俊郎
NTT基礎研究所
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日比野 裕樹
NTT基礎研
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城戸 義明
立命館大学理工学部
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池田 敦
立命館大学理工
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住友 弘二
NTT基礎研究所
著作論文
- 29p-F-9 中エネルギーイオン散乱・表面エネルギー損失分光によるSi(001)2×1-Ge相互拡散分析
- 50, 100keV H^+に対するSi(001)2×1:Sb表面における阻止能とエネルギーストラグリング
- 27a-S-3 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiおよびGeの阻止能とストラグリング
- 30p-YB-5 中エネルギー領域におけるH^+に対するSiの阻止能とストラグリング
- 重水素化パラジウムからのヘリウム-4生成の検出
- ヘリウム-4 生成と熱の発生の相関
- 28p-G-13 Pd:D/Hにおける急激な構造相転移と異常核効果
- 3a-J-5 中速イオン散乱法による Si (001) 基板上のGeダイマーの構造解析
- 30a-H-1 Si(001)ステップ端の原子構造
- 27p-ZS-4 Si(111)√×√-Pb表面へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 27a-ZS-5 中速イオン散乱(MEIS)によるSi(111)-(√×√)Pbの構造解析
- 27a-ZS-4 中速イオン散乱(MEIS)によるGe/Si(111)界面構造解析
- 表面構造制御の研究
- 1a-W-1 100keVH^+に対するSb/Si(001)の表面における阻止能とエネルギーストラグリング(1aW 放射線物理,放射線物理)