山口 栄一 | Ntt基礎研

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概要

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• 山口 栄一

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• 白石 賢二

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• 西岡 孝

  Ntt基礎研

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 大野 隆央

  Ntt Lsi研究所

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 佐久 規

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  NTT LSI研究所

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• 白石 賢二

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著作論文

• 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
• III-N系半導体の深い準位の理論 : GaN/AlN系は、電子デバイスとして「もの」になるか?
• III-N系半導体の深い準位の理論 : GaN/AlN系は、電子デバイスとして「もの」になるか?
• 重水素化パラジウムからのヘリウム-4生成の検出
• ヘリウム-4 生成と熱の発生の相関
• 28a-D-8 Al_xGa_Asの中のDXセンターのフォトルミネッセンス
• 27a-C-9 InGaAs三元混晶における伝導電子状態に対する不規則効果
• 28p-G-13 Pd:D/Hにおける急激な構造相転移と異常核効果
• 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
• 31a-Z-9 GaAsにおけるDXセンターの最適原子配置
• 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
• 4a-C-16 単原子層挿入系における電荷移動
• 6a-A2-13 III-V族半導体-絶縁体の界面準位 : 散乱論的アプローチ
• 28a-F-8 GaAs-AlAs超格子電子構造の面方位依存性
• 真空法--核生成物を追う新しい試み--重水素のマイグレ-ションに着目 (常温核融合--なぞに包まれた原理解明を追う)
• 31p-G-1 GaAs中のDXセンターの圧力依存性(31pG 半導体(深い不純物))
• 31p-G-2 DXセンターによる永続光電流の一モデル(31pG 半導体(深い不純物))
• 29a-G-1 GaAs中In単原子層挿入系の電子状態(29aG 半導体(超格子))

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