III-N系半導体の深い準位の理論 : GaN/AlN系は、電子デバイスとして「もの」になるか?
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概要
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III-N系半導体が電子デバイスとしても「もの」になるか否か? このことを、深い準位の理論の立場から調べた。計算の結果、どの窒化物半導体においても深いドナー準位はバンドギャップ中に現れないことが分かった。このことは、GaN/AlN系が電子デバイス用材料として極めて有望であることを示唆する。さらに、GaNにおいてはN欠陥が作る局在s準位が伝導帯端直下に出現すること、この局在準位はIn_xGa_<1-x>Nにおいてはxの増大とともに浅くなり、ついに伝導帯と共鳴することが分かった。この理論結果は、In_xGa_<1-x>Nにおいて観測される異常な光学的性質を良く説明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-09
著者
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