寒川 義裕 | 東京農工大学大学院工学系
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概要
関連著者
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寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
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纐纈 明伯
東京農工大
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
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寒川 義裕
九大・応力研
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熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
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熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
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松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
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松尾 有里子
東京農工大工学部
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松尾 有里子
東京農工大学工学部
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熊谷 義直
東京農工大学
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入澤 寿美
学習院大学
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入澤 寿美
学習院大計セ
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伊藤 智徳
三重大学工学研究科
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伊藤 智徳
三重大工
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田中 健
東京農工大学大学院応用化学専攻
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菊地 潤
東京農工大学大学院・工学系
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森 篤史
徳島大工
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田中 健
東京農工大学大学院・工学系
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田中 健
東京農工大 大学院
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石橋 隆幸
長岡技術科学大学工学部
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富樫 理恵
東京農工大学大学院・工学系
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佐藤 勝昭
東京農工大学工
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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大鉢 忠
同志社大学工学部
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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佐藤 勝昭
東京農工大学
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Sato K
Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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大鉢 忠
同志社大・理
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石橋 隆幸
東京農工大学
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石橋 隆幸
長岡技術科学大学 工学部
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Laird B
Univ. Kansas
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Satoh K
Faculty Of Engineering Fukui University Of Technology
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石橋 隆幸
東京農工大学大学院工学教育部
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Laird Brian
カンザス大
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Sato K
Department Of Physics Faculty Of Science Toyama University
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Sato Kiyoo
College Of Liberal Arts Toyama University
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Satoh K
Univ. Electro‐communications Tokyo
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藤野 真理恵
東京農工大学大学院工学系
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河口 紀仁
東京農工大学大学院工学系
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岡田 安史
東京農工大学大学院工学系
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岩本 智行
東京農工大学大学院工学系
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野間 かおり
東京農工大学大学院工学系
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Satoh K
Mitsui Engineering Ship Building Co. Ltd. Tamano Jpn
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Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
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佐藤 勝昭
東京農工大
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河口 紀仁
東京農工大学大学院工学系:石川島播磨重工業(株)技術開発本部
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伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
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纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:科学技術振興機構さきがけ
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SATO Kazutaka
Physics Laboratory,Aichi Prefectural Junior College of Nursing
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石橋 隆幸
東京農工大
著作論文
- 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
- 27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?(AlN結晶成長シンポジウム)
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- IV族混晶半導体の熱力学的安定性(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB02 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
- 常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
- GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
- InGaN薄膜における自然超格子構造(窒化物半導体結晶)
- InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム
- "「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考"小特集にあたって
- GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討(窒化物半導体結晶)