第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
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概要
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As desorption process from GaAs(111)A surface under atmospheric pressure of hydrogen is investigated by ab initio calculation. Based on the results, hydrogen in the carrier gas adsorbs on the As-terminated (1 x 1) surface to form (2 x 2) surface with both of As-trimer and trihydride (-AsH_3) geometry, and then AsH_3 molecule desorbs from the surface to form (2 x 2) reconstruction with As-trimer geometry.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
入澤 寿美
学習院大学
-
松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
松尾 有里子
東京農工大工学部
-
松尾 有里子
東京農工大学工学部
-
入澤 寿美
学習院大計セ
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
寒川 義裕
九大・応力研
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