In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
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概要
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有機金属気相成長法(MOVPE)およびハライド気相成長法(HVPE)によるIn系窒化物半導体結晶成長を検討した.GaAs(110)基板上MOVPE成長において,半極性{101^^-3}InN結晶の成長を確認し,X線極点図およびX線異常散乱測定により,双晶混入メカニズムおよびInNの極性が結晶成長に与える影響を明らかにした.また,HVPE法によるIn_xGa_<1-x>N混晶厚膜成長を熱力学解析により検討した結果,高V/III比,成長系内水素分圧の制御により,比較的高温においても組成制御性良くIn_xGa_<1-x>N混晶成長が可能であることが示唆された.
著者
-
富樫 理恵
東京農工大学大学院・工学系
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
村上 尚
東京農工大学
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
稲葉 克彦
株式会社リガク
-
Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
花岡 幸史
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
-
稲葉 克彦
株式会社リガクx線研究所
-
熊谷 義直
東京農工大学
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