22aB1 トリハライド原料を用いた窒化物半導体の熱力学解析(気相成長I)
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概要
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The thermodynamic analysis of GaN and InGaN growth using tri-halide sources is investigated. Lt is found that in F=0.0(inert carrier gas), the driving force of GaN using GaCl_3 source is equal to that using GaCl source. The driving force using GaCl_3 decreases with increasing the hydrogen pressure in carrier gas. The solid composition of InGaN is also disscussed in corrmarison with the exoerimental data. Lt is shown that the solid composition using GaCl_3 and InCl_3, sources is thermodynamically controlled.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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