01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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Growth of AlGaN ternary alloy using AlCl_3 and GaCl gases as group III precursors was performed by hydride vapor phase epitaxy. C-axis-oriented AlGaN layers could be grown at 1100℃. We found that the solid composition x in Al_xGa_1 _xN ternary alloy could be controlled by changing the input Al mole ratio of the group III precursor (R_<Al>) and/or the low range (<10%) of partial pressure of hydrogen (H_2) in the carrier gas (F°).
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
佐藤 史隆
東京農工大学大学院・工学系
-
村上 尚
東京農工大学大学院・工学系
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
村上 尚
東京農工大学
-
山根 貴好
東京農工大学大学院 工学系
-
秋山 和博
東京農工大学大学院 工学系
-
佐藤 史隆
東京農工大学大学院 工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
-
熊谷 義直
東京農工大学
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