01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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First-principles calculation and X-ray absorption fine structure analysis of Fe doping mechanism were performed for preparing semi-insulating GaN wafers using GaAs(111)A as a starting substrate. The Fe atoms incorporated in GaN were found to substitute Ga site, and the incorporation of Fe atoms in GaN was hindered by As incorporation in adjacent N site when degradation of back of the GaAs substrate was occurred.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
富樫 理恵
東京農工大学大学院・工学系
-
佐藤 史隆
東京農工大学大学院・工学系
-
村上 尚
東京農工大学大学院・工学系
-
飯原 順次
住友電工(株)解析技術研究センター
-
山口 浩司
住友電工(株)解析技術研究センター
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
村上 尚
東京農工大学
-
佐藤 史隆
東京農工大学大学院 工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
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