熱力学解析による窒化物MOVPE成長における水素の効果 : 気相成長IV
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概要
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The effect of hydrogen during the MOVPE growth of group III nitrides is investigated from a thermodynamic point view. The effect of hydrogen is reported for the driving force for the deposition of binary nitrides, AlN, GaN and InN. The effect of hydrogen for the InGaN growth is discussed for the vapor-solid relationship. The difference between the growth reaction of the indium containing nitrides and that of other III-V compounds is also discussed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
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