GaAs(111)A Ga面上への水素吸着 : その場測定とAb initio計算 : 気相成長II
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概要
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The hydrogen chemisorption on the GaAs (111)A Ga surface is investigated under atmospheric pressure using the in situ monitoring system, which consists of GaAs halogen transport atomic layer epitaxy (ALE) and the surface photoabsorption (SPA) systems. Furthermore, in order to determine the atomic configuration on the surface, ab initio molecular dynamics calculation is performed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
関 壽
東京農工大学・工
-
関 寿
農工大
-
松尾 有里子
東京農工大工学部
-
松尾 有里子
東京農工大学工学部
-
瀧 哲也
東京農工大学工学部
-
仁村 幹彦
東京農工大学・工
-
仁村 幹彦
帝人システムテクノロジー
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