25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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As desorption process from GaAs(111)A surface under atmospheric pressure of hydrogen is investigated by surface photo absorption. Based on the results, it is found that (2x2) reconstructed structure was formed on As-terminated GaAs(111)A surface and changed to the complete Ga-terminated surface under an atmospheric of hydrogen.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
松尾 有里子
東京農工大工学部
-
松尾 有里子
東京農工大学工学部
-
岩本 智行
東京農工大学大学院工学系
-
野間 かおり
東京農工大学大学院工学系
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
寒川 義裕
九大・応力研
-
熊谷 義直
東京農工大学
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