17pB03 InGaN組成不安定性のモンテカルロ法による解析(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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We performed Monte Carlo simulations in order to understand compositional instability of InGaN films grown by vapor phase epitaxy. The results imply that site-exchanging process of atoms near the growth surface has a significant influence on the atomic configurations in the InGaN films.
- 2005-08-17
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