溶融半導体からの結晶成長における流れの直接観察
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概要
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Experimental and numerical approach to convection of molten silicon was surveyed. Natural and Forced convection of molten silicon during Czochralski single crystal growth was directly observed using X-ray radiography. Flow pattem of the melt was monitored using a solid tracer method. The tracer, whose density and wettability were adjusted to that of molten silicon, was newly developed. Observed flow of natural convection of molten silicon in a crucible was not only steady but also transient, and not axisymmetric. This asymmetry is attributed to asymmetric temperature distribution within the crucible. The flow velocity of molten silicon in a 75 mm-diameter crucible was 10 to 20 mm/sec. The experimental results were compared with previous numerical calculations.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1988-07-25
著者
-
日比谷 孟俊
ウィーン工科大学熱流体力学研究所
-
日比谷 孟俊
日本電気(株)基礎研究所
-
日比谷 孟俊
首都大学東京
-
柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
-
江口 実
Nec
-
柿本 浩一
日本電気(株)基礎研究所
-
渡辺 久夫
日本電気(株)基礎研究所
-
日比谷 孟俊
日本電気(株)
-
江口 実
日本電気(株)基礎研究所
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