シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値(<小特集>バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)
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概要
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Thermophysical properties required for numerical simulation of silicon crystal growth processes have been investigated from Japanese silicon wafer producers. Results from the survey are presented for molten silicon, crystalline silicon and refractory materials. Thermal transport properties such as thermal conductivity of both melt and crystal are greatly important. Mechanical properties such as elastic constant of the crystal are required especially at high temperatures. Thermal transport properties of refractory materials are also essential for the global analysis of heat transfer in the furnace. However, refractory data have been kept confidential.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-01-15
著者
-
渡邉 匡人
学習院大学理学部
-
塚田 隆夫
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
-
日比谷 孟俊
ウィーン工科大学熱流体力学研究所
-
田中 敏宏
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
渡邉 匡人
学習院大理
-
福山 博之
東京工業大学大学院理工学研究科
-
日比谷 孟俊
東京都立科学技術大学工学部
-
田中 敏宏
大阪大学大学院工学研究科
-
日比谷 孟俊
首都大学東京
-
馬場 哲也
産業技術総合研究所AIST
-
日比谷 孟俊
東京都立科学技術大学
-
塚田 隆夫
東北大学多元物質科学研究所
-
福山 博之
東京工業大学 大学院工学研究科
-
渡邉 匡人
学習院大学 理学部
-
田中 敏宏
大阪大 大学院工学研究科
-
塚田 隆夫
東北大院工
-
馬場 哲也
産業技術総合研究所計測標準部
-
馬場 哲也
産業技術総合研究所 計測標準研究部門
-
渡邉 匡人
学習院大学
-
馬場 哲也
産業技術総合研究所
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