27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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GaN growth on GaP(111)A and (111)B surfaces are discussed using P desorption energy from the GaP(111) surfaces calculated by ab initio pseudopotential method and surface morphology of GaN layers on the GaP(111) substrates obtained by experiments. These results explain a finding that the GaP(111)A surface can promise an initial substrates for freestanding GaN substrate like GaAs(111)A surface.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
富樫 理恵
東京農工大学大学院・工学系
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
入澤 寿美
学習院大学
-
松尾 有里子
九州大学応用力学研究所
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
松尾 有里子
東京農工大工学部
-
松尾 有里子
東京農工大学工学部
-
入澤 寿美
学習院大計セ
-
藤野 真理恵
東京農工大学大学院工学系
-
Koukitu Akinori
Department Of Industrial Chemistry Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technol
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院工学研究院
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門
-
寒川 義裕
九大・応力研
-
熊谷 義直
東京農工大学
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