GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討(窒化物半導体結晶)
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概要
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We studied the formation mechanisms of Ga-N clusters on GaN substrate during the early stage of growth using the kinetic Monte Carlo simulation. The results suggest that Ga-rich clusters composed of three Ga atoms and an N atom (Ga_3N) were easily formed compared with N-rich clusters composed of a Ga atom and three N atoms (GaN_3). This is because activation energies for hopping of Ga atoms are smaller than that of N atoms, i,e., Ga atoms were easily gathered around N atoms.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
熊谷 義直
東京農工大学大学院・工学系
-
入澤 寿美
学習院大学
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
入澤 寿美
学習院大計セ
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
寒川 義裕
九大・応力研
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