シリコン融液の表面張力に及ぼす酸素分圧の影響
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概要
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Experiments were conducted in order to obtain the relation between surface tension of molten and oxygen partial pressure. Clarifyiyng the relation holds a key for understanding the Marangoni convection of molten silicon in a Czochralski (CZ) system.Measurements of surface tension and density of molten silicon were performed by the sessile drop method using BN substrate under argon atmosphere at 1693 K. Oxygen partial pressure Po_2 of argon gas was controlled below the equilibrium Po_2, that was, Po_2,_<sat>, of S1O_2 by the aid of argon gas purifier and tightly sealed furnace made of double alumina tubes. Po_2 was determined with oxygen sensor of solid electrolytes, ZrO_2・CaO. Surface tension of molten silicon was 813 mN/m at 1693 K under a condition of Po_2=2.58×l0^<-22> MPa. The surface tension remarkably decreases with increasing Po_2 up to Po_2,_<sat> of SiO_2 at 1693 K. However, above Po_2,_<sat>, the surface tension keeps almost constant with incrcasing Po_2.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1996-12-25
著者
-
日比谷 孟俊
NEC基礎研
-
小山 正人
財団法人宇宙利用推進センターフロンテア共同研究推進部
-
向井 楠宏
九州工業大学
-
柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
-
柿本 浩一
Nec基礎研究所
-
柿本 浩一
九州大学機能物質科学研究所
-
小山 正人
宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター
-
白石 裕
コマツ電子金属(株)研究開発センター
-
牛 王剛
九州工業大学工学部物質工学科
-
日比谷 孟俊
Nec基礎研究所
-
日比谷 孟俊
東工大
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