24aB7 Dislocation effect on crystal-melt interface: an X-ray topography study on the melting of silicon

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 1999-07-01

著者

• 柿本 浩一

  九州大学機能物質科学研究所科

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

• 王 育人

  九州大学機能物質科学研究所

• 柿本 浩一

  九州大学機能物質科学研究所

関連論文

• 「結晶成長における物質・熱輸送」小特集にあたって(結晶成長における物質・熱輸送
• 立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
• 21世紀の結晶成長の3大過大(21世紀の結晶成長の3大課題)
• NCCG-40とICCG-16(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
• 「機能性材料ダイヤモンド」小特集にあたって(小特集序文,バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
• 19pXB-4 超音波による点欠陥制御育成CZシリコン結晶の原子空孔濃度分布測定(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-5 超音波によるシリコン結晶中の原子空孔の観測と電気四極子(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• Romanian Conference on Advanced Materials, ROCAM2009
• 一方向性凝固法によるSi多結晶の育成と評価
• The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
• 太陽電池用シリコン多結晶中の析出物が微結晶形成に及ぼす影響
• 第13回国際結晶成長サマースクール参加報告
• InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
• 19aPS-134 超音波によるシリコン結晶中の原子空孔濃度分布の研究(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 534 3次元歯科インプラント埋入下顎骨モデルの構築と応力解析(OS6-3:硬組織のバイオメカニクス,オーガナイズドセッション6:硬組織のバイオメカニクス)
• マルチヒーターを使用した一方向性凝固法によるシリコン多結晶育成時の熱流動解析
• 分子動力学法による機能性材料の熱伝導率解析
• 03aC14 一方向凝固多結晶シリコンのラマン散乱による応力解析(結晶評価・その場観察(2),第36回結晶成長国内会議)
• 02aB13 単層及び多層カーボンナノチューブの熱伝導率解析(ナノ粒子、ナノ構造(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01pB01 GaN/AlN量子ドットの熱伝導率解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 01aA05 可動式ヒーターを用いた一方向性凝固法によるシリコン多結晶の熱流動解析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aA04 シリコン太陽電池育成のための一方向性凝固プロセスの三次元総合伝熱解析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
• 24aPS-98 シリコン結晶中の原子空孔に起因した弾性定数ソフト化(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pYP-3 シリコン固-液界面の形状とその場観察 : 転位の効果を中心として
• 21世紀のシミュレーション技術 : シリコン(21世紀を担うバルク単結晶)
• 不均一水平磁場印加下におけるシリコン融液中の酸素の輸送現象 : バルク成長II
• Dislocations and Crystal-melt Interface Shape During the Melting of Silicon
• 高温炉を用いたX線回折によるシリコン固液界面形状の"その場観察"
• Germany-Japan-Poland (GJP) Crystal Growth Meeting参加報告(閑話休題)
• 24aB7 Dislocation effect on crystal-melt interface: an X-ray topography study on the melting of silicon
• ICCG-12,ICVGE-10参加報告
• 液体金属シリコンの対流不安定性
• バルク結晶の成長(II)特集にあたって(バルク結晶の成長(II))
• シリコン結晶育成時における熱と物質の輸送現象--対流可視化と数値計算 (第24回結晶成長国内会議NCCG-24)
• ICCG-10参加報告(閑話休題)
• Si融体の対流をX線で見る
• 単結晶育成用CZ炉の数値解析
• バルク成長分科会活動報告(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 募金委員会報告(第3章 記念事業記録,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 融液成長の基礎理論(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• バルク結晶成長技術の基礎
• 「バルク結晶成長の新しいアプローチ」小特集にあたって( バルク結晶成長の新しいアプローチ)
• Growth of Crystalline Silicon and Photovoltaic Materials(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),Ne
• シリコン液柱内マランゴニ対流の温度振動と温度分布
• 微小量カ状態を利用した半導体シリコンメルトのマランゴニ対流の温度振動の精密測定とマランゴニ対流モード : 溶液成長のその場観察III
• TR-IA-4号小型ロケットによるシリコンメルトマランゴニ対流の温度振動測定
• シリコン融液の表面張力に及ぼす酸素と温度の影響
• シリコン融液の表面張力に及ぼす酸素分圧の影響
• シリコン融体の表面張力の測定 : バルク成長シンポジウムI
• バンケットを終えて(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• シリコン単結晶製造時における融液の流れ
• 27pA3 CZ単結晶育成中におけるSi融液対流速度の垂直磁場による変化(バルク結晶成長シンポジウムII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
• 分子動力学による同位体Geの熱電導解析2
• W03-(2) シリコン結晶製造プロセスのナノ、ミクロ、マクロスケール数値計算
• 「結晶成長の科学と技術」小特集にあたって
• 溶融半導体からの結晶成長における流れの直接観察
• X線透視法によるシリコン融体の対流直接観測 : 実験とシミュレーションとの対応
• 溶融化合物半導体の熱的挙動 (温度変動と無次元数との対比)
• 2重坩堝ACRT法における供給原料の混入過程及び融液温度への影響
• ACRT法における融液攪拌効果の解析 : バルク成長シンポジウム
• 「Si系単結晶・多結晶」小特集にあたって(小特集序文)
• ダブルビームX線透視法によるCzSi単結晶育成時の融液対流三次元可視化観察 : 融液成長IV
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 「最先端デバイスと科学技術」小特集にあたって
• シリコンメルト液柱におけるマランゴニ対流の温度振動 (TR-IA4号機特集(速報))
• シリコンメルト液柱内の対流構造 : 融液成長(シリコン関連) I
• 半導体材料における融液の構造と性質
• 数値計算によるSi融液中の熱と物質の輸送現象の理解 : 融液成長VI
• Si融液対流と育成結晶中のストリエーションとの相関 : 融液成長VI
• CZ法におけるSi融液対流の三次元構造(バルク成長(II))
• Si融液対流の三次元解析 : 軸対称流について : 融液成長V
• 溶融GaAsの粘性係数 : 組成依存性 : 融液成長I
• 「種結晶(核)からの結晶成長制御について」小特集にあたって
• 17aA01 レーザ照射によるシリコン中の酸素とボロンの拡散促進(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
• 17aA02 EMCZ印加下におけるシリコン融液中の酸素輸送の三次元総合解析(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
• 17aA03 シリコン太陽電池成長のためのキャスティングプロセスの総合伝熱解析(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
• CZSi結晶成長における3次元総合伝熱解析モデルの構築(オーガナイズドセッション4 材料創成プロセスと熱工学)
• 結晶成長における熱と物質の移動現象に及ぼす磁場の効果(結晶成長における物質・熱輸送
• 「最先端デバイスと科学技術」小特集にあたって(バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)
• 17pB03 InGaN組成不安定性のモンテカルロ法による解析(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• GaAsN気相エピタキシーにおける混晶組成の理論的検討(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
• 半導体バルク結晶成長における熱と物質の輸送と成長速度との関係(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
• German-Polish Conference on Crystal Growth GPCCG2011参加報告(会議報告)
• German-Polish Conference on Crystal Growth GPCCG2011 参加報告 Report from the German-Polish Conference on Crystal Growth GPCCG2011
• 固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• Si融体の対流をX線で見る
• 高効率シリコン太陽電池の実現に向けて(スクウェアタイプの太陽電池用Si結晶の作製)
• 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)開催報告(学会活動報告)
• SiCの現状と今後の展開(特集序文)
• 高効率シリコン太陽電池の実現に向けて
• SiCの現状と今後の展開

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク