17aA01 レーザ照射によるシリコン中の酸素とボロンの拡散促進(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Numerical and experimental analyses revealed the enhancement of diffusion of oxygen and boron by laser irradiation. We have studied the effect of enhancement of diffusion of boron and oxygen including both isotopes of ^<16>O and ^<18>O by laser irradiation. The study clarified that diffusion of the impurities was enhanced by laser irradiation about 2.5 to 8 times larger than the case without laser irradiation in the temperature range from 990℃ to 1200℃. We confirmed from temperature measurement of the sample that such enhancement was not based on temperature increase by laser irradiation but based on the effect of irradiation of the laser. The effect of frequency of the laser on the diffusion was observed by changing wavelength of the laser.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
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