MOVPE成長におけるInGaN混晶形成過程のシミュレーション : 気相成長IV
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A chemical equilibrium model has been applied to the MOVPE growth of InN, GaN, and InGaN semiconductors. The phase diagram of the deposition indicating etching, droplet and growth regions is computed for the growth. In addition, Monte Carlo simulation is carried out to investigate above theoretical results.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
関連論文
- 日本結晶成長学会・会長退任にあたり
- 01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 戦略プログラムを用いた経済ゲームのシミュレーション解析手法の開発
- 原子層エピタキシーに魅せられて : 窒化ガリウム自立基板結晶の創製
- InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
- 01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 17pB02 AlCl_3固体原料を用いたAlN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB04 ハライド気相成長法によるAl_xGa_N成長の熱力学解析 : キャリアガス中水素分圧の影響(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- シリコン中の窒素の構造決定
- 微小重力下でのヨウ化カドミウム結晶の成長その場観察 : 基礎II
- TR1-Aロケットによる微小重力実験(地上予備実験) : 基礎II
- パーマロイ円形ドット配列の磁化反転
- ナノ磁性体規則配列の作製と磁化状態の解析
- 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
- Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態解析
- 23pRJ-2 エピタキシャル成長を熱力学で考える(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
- Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態の解析(ハードディスクドライブ及び一般)
- GaAs(001)Ga面上への水素吸着 : その場観察とab initio計算
- N系半導体MBE成長の熱力学的解析と計算機能を有する相図の構築
- 化合物半導体の原子層エピタキシー
- GaAs原子層エピタキシーのその場観察 : グラヴィメトリック法および表面光吸収法(「核形成と成長カイネティクス」)
- Al原料制御によるAlNのHVPE成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- 27aB03 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- HVPE法を用いたAlNの成長は可能か?(AlN結晶成長シンポジウム)
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- ナノ未来材料
- モンテカルロ・シミュレーションで見た2次元核形成過程
- 29a-G-3 モンテカルロシミュレーションによる2次元核形成過程
- 31a-PS-42 バイナリ・サーチ・モンテカルロ法 : 量子スピン系
- 成長中の有限結晶のまわりの拡散場 : 基礎的考察
- MBE成長条件下での表面構造の周期変化とRHEED強度振動 : エピタキシーI
- NaCl型2元系結晶の溶液中での平衡形について
- 柱状結晶の成長特性と不安定性の発生 IV : 核形成頻度の修正
- 拡散層の厚みを考慮した多面体結晶の形態安定性 : モルフォロジー
- 融液成長における有効分配係数II : 界面での脱着効果について : 基礎
- 融液成長における有効分配係数I : 拡散場の効果について : 基礎
- 多面体結晶成長形の安定性について(結晶のモルフォロジー)
- 有限結晶の溶液成長での定常状態の定まり方 : 基礎的考察
- 01aC08 GaN(0001)/(000-1)面の表面再構成面の解析(結晶成長基礎(2),第36回結晶成長国内会議)
- 17pC12 二成分完全固溶体結晶の実効分配係数の成長条件依存(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 化合物半導体気相成長の熱力学
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 27aB01 GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB02 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aB06 InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- 26aC07 完全固溶体における実効分配係数の結合エネルギー依存性(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
- 高温融体物性計測と液体物性シミュレーションの融合 : シミュレーションを援用した高温融体の構造解析
- 混晶結晶の2次元核形成過程モンテカルロシミュレーション : 成長界面II
- 光散乱法とTEMを用いたCZ-Si結晶中のOSF-ringの研究 : バルク成長II
- 25aL-2 二次元核形成過程のシミュレーション
- 24pZ-4 MBE成長条件下での Volmer-Weber 機構成長での安定核サイズと勢力範囲
- 2成分A-B型結晶の2次元核形成過程シミュレーション(西岡一水先生追悼号)
- 31a-N-11 MBE成長条件下でのVolmer-Weber機構成長での臨界核サイズ
- 25p-P-7 MBE成長条件下でのVolmer-Weber機構成長シミュレーション
- 25p-P-6 表面拡散を考慮に入れた2成分結晶の2次元核形成過程
- MBE成長条件下でのVolmer-Weber機構成長シミュレーション : 核生成II
- 表面拡散を考慮に入れた2成分結晶の2次元核形成過程 : 核生成II
- 一方向凝固過程における不純物原子の混入過程について : モンテカルロシミュレーション : バルク成長シンポジウム
- 6p-P-11 2成分系における2次元核形成過程
- A-B定比化合物の二次元核形成過程(モンテカルロシミュレーション)
- 融液成長時の不純物取り込み過程シミュレーション : ダイヤモンド格子
- 層流に沿ったステップ列の運動と形態形成
- ステップ前進速度の過飽和度への非線形依存性 : 計算機シミュレーション : ステップ I
- 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
- 22aB3 GaAs面上への水素吸着 : その場測定と量子化学計算(気相成長I)
- GaAs(111)A Ga面上への水素吸着 : その場測定とAb initio計算 : 気相成長II
- パルス気相エピタキシャル法によるGaAsの成長
- 融液成長界面構造に対する不純物の影響 : 核生成II
- 雪結晶の二次枝生成機構 : 形態形成 I
- 原子レベルで見た2元系結晶の表面構造 : ラフニング転移
- 原子レベルで見た2元系結晶の表面構造と成長過程 : 成長シミュレーションII
- ステップ間2次元核生成を考慮した成長速度 : 成長シミュレーションII
- 結晶成長学会誌索引データベース利用について(日本給晶成長学会創立20周年記念特集)
- 層流中における2次元多面体結晶の形態安定性 : 基礎(理論)II
- 27aB10 多面体結晶の安定性(基礎II)
- MBE成長条件下での微斜面成長の特徴 : 基礎I
- MBE成長条件下での表面構造の周期変化とRHEED振動
- 多面体結晶の非定常成長
- The Back-Force Effect in the Multinucleation Process
- The Back-Force Effect in the Repeated Nucleation Process : ステップ運動
- 正負対転位に伴う核形成エネルギー : BCF理論の修正
- 1a-KD-9 正負対転位に伴う核形成エネルギー : BCF理論の修正
- 27aB7 DLA凝集体の熱緩和(基礎II)
- 26a-F-3 フラクタル凝集体の緩和
- フラクタル凝集体の熱緩和II : 成長シミュレーションII
- 28a-YW-6 フラクタル凝集体の熱緩和II
- MOVPE成長におけるInGaN混晶形成過程のシミュレーション : 気相成長IV
- 6p-P-10 固液界面での不純物の取り込み過程シミュレーション
- 融液成長中の不純物の取り込み過程(モンテカルロ法)
- 融液成長シミュレーションによる点欠陥導入過程 : バルク成長 III 融液物性
- 1a-K-4 融液成長シミュレーションによる点欠陥分布
- 環境相のゆらぎが雪結晶の形態に及ぼす影響 : 基礎(実験)I
- 27aB1 ごへい形雪結晶の成長過程のシミュレーションII(基礎I)
- 30a-ZA-9 ごへい形雪結晶の成長過程のシミュレーション