光散乱法とTEMを用いたCZ-Si結晶中のOSF-ringの研究 : バルク成長II
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概要
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It is well known that the OSF-rings are generated in the CZ-Si crystal, annealing at a high temperature for several hours. Many observations showed that oxygen precipitates with high density inhomogeneously appeared in OSF-ring area. We newly observed the dark strips in this region by photoluminescence image. TEM analysis further exposed that the dark stripes are related to the stacking faults.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
小川 智哉
学習院大学理学部物理学科
-
小川 智哉
学習院大理
-
小川 智哉
学習院大学
-
米田 信夫
学習院大・理学部
-
入沢 寿美
学習院大学計算機センター
-
入沢 寿美
学習院大・計算機センター
-
入沢 寿美
学習院大・計セ
-
馬 敏雅
学習院大・計算機センター
-
小川 智哉
学習院大・理学部
-
入沢 寿美
学習院大・理
-
小川 智哉
学習院大・理
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