大鉢 忠 | 同志社大・理
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
大鉢 忠
同志社大・理
-
大鉢 忠
同志社大学工学部
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
菊池 友
同志社大工
-
大鉢 忠
同志社大工
-
大城 文明
琉球大学工学部
-
坂本 明典
琉球大学工学部
-
大鉢 忠
同志壮大学工学部
-
Somintac A.S.
同志社大工
-
有屋田 修
アリオス(株)
-
下村 浩司
同志社大学工学部
-
Somintac A.
同志社大工
-
有屋田 修
Arios Inc.
-
ソミンタック アルマンド
Department Of Electrical Engineering Doshisha University
-
和田 元
同志社大工
-
高木 涼
同志社大学工学部
-
鳳桐 将之
同志社大学工学部
-
和田 元
同志社大院工
-
和田 元
Doshisha University
-
宮内 勝久
同志社大工
-
山邊 信彦
同志社大学工学部
-
折出 和章
同志社大学工学部
-
武田 祥宏
同志社大学工学部
-
芝滝 健太郎
同志社大学工学部
-
乾 紘輔
同志社大学工学部
-
宮川 昭人
同志壮大学工学部
-
和田 元
同志社大学
-
古川 義純
北海道大学低温科学研究所
-
谷口 一郎
同志社大学工学部
-
藤田 和久
イオン工研
-
藤田 和久
イオン工学研究所
-
和田 元
同志社大学工学部
-
伊藤 洋平
同志社大学工学部
-
大西 由真
イオン工学研究所
-
大鉢 忠
同志社大・工
-
鈴木 俊治
琉球大学工学部
-
宮川 昭人
同志社大学工学部
-
藤井 範章
同志社大工
-
安田 貴憲
同志社大工
-
山口 哲
同志社大工
-
中村 宣隆
同志社大工
-
岡田 竜弥
琉球大学工学部
-
古川 義純
北海道大学
-
松永 宏治
同志社大学 工学部 電気工学科
-
ムジラネザ ジョン
琉球大学工学部
-
ムジラネザ ジョンデディウ
琉球大学工学部
-
佐保田 英司
日立コンピュータ機器(株)
-
白井 克弥
琉球大学工学部
-
松島 英紀
日立コンピュータ機器(株)
-
橋本 隆夫
日立コンピュータ機器(株)
-
Mugiraneza J.
琉球大学工学部
-
松島 英樹
日立コンピュータ機器
-
西ノ原 拓磨
琉球大学工学部
-
荻野 義明
日立コンピュータ機器
-
橋本 隆夫
日立コンピュータ機器
-
佐藤 清隆
広島大学大学院生物圏科学研究科
-
松原 聰
国立科博
-
谷城 康眞
東工大院理工
-
高柳 邦夫
東工大院理工
-
佐崎 元
東北大学際センター
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所
-
纐纈 明伯
東京農工大学大学院・工学系
-
佐藤 清隆
広島大学
-
伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
-
佐崎 元
東北大学 金研
-
宇佐美 徳隆
東北大学金属材料研究所
-
日比谷 孟俊
東京都立科学技術大学工学部
-
松原 聡
国立科学博物館地学研究部
-
古川 義純
北大・低温研
-
日比谷 孟俊
首都大学東京
-
菊池 友
同志社大学工学部
-
宮内 勝久
同志社大学工学部
-
田中 奈穂
同志社大学工学部
-
白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
-
白石 賢二
筑波大学物理学系
-
日比谷 孟俊
東京都立科学技術大学
-
中嶋 一雄
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
中嶋 一雄
東北大学;金属材料研究所
-
有本 明希子
東工大院総理工
-
小田原 道哉
昭和電工(株)
-
宇田川 隆
昭和電工(株)
-
菊池 友
Department of Electrical engineering, Doshisha University
-
ソミンタック アルマンド
Department of Electrical engineering, Doshisha University
-
和田 元
Department of Electrical engineering, Doshisha University
-
大鉢 忠
Department of Electrical engineering, Doshisha University
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
-
小野 慎司
同志社大工
-
中村 恭章
同志壮大学工学部
-
菊池 友
同志壮大学工学部
-
谷城 康眞
東工大院理工:jst-crest
-
藤田 和久
イオン工学研
-
寒川 義裕
東京農工大学大学院工学系
-
小野 慎司
仙台高等専門学校名取キャンパス
-
纐纈 明伯
東京農工大
-
木村 勇気
北海道大学大学院工学院修士課程
-
大西 由真
同志壮大学工学部
-
伊藤 洋平
同志壮大学工学部
-
古川 義純
北大
-
日比谷 孟俊
NEC 研究開発グループ
-
山口 智彦
(独)産業技術総合研究所
-
木村 勇気
北海道大学低温科学研究所
-
王 牧
南京大学固体マイクロ構造国家研究所
-
松原 聰
Department Of Geology National Science Museum
-
井上 慎也
同志社大学 工学部 電気工学科
-
好田 慎一
同志社大学工学部電気工学科
-
山本 昌弘
同志社大学工学部電気工学科
-
大鉢 忠
Doshisha University, Department of Electrical Engineering
-
有屋 田修
アリオス(株)
-
宮澤 信太郎
早大
-
芦田 佐吉
国立科学博物館
-
古畑 芳男
国立科学博物館
-
好田 慎一
同志壮大学工学部
-
北村 友愛
同志壮大学工学部
-
下村 浩司
同志壮大学工学部
-
高木 涼
同志壮大学工学部
-
鳳桐 将之
同志壮大学工学部
-
王 牧
南京大学 固体マイクロ構造国家研究所物理学科
-
松原 聰
日本鉱物科学会
-
伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
-
寒川 義裕
九州大学応用力学研究所:九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
伊藤 智徳
三重大学工学研究科
-
佐崎 元
東北大学 金属材料研究所
-
寒川 義裕
九大・応力研
-
荻野 義明
日立コンピュータ機器(株)
-
木村 勇気
北海道大学
著作論文
- 3族窒化物RF-MBE成長における励起窒素分子の利用 (第46回 同志社大学理工学研究所研究発表会 2007年度 同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
- ICCG-16準備状況・経過(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
- 26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
- 17pB01 活性窒素原子フラックスのその場計測・制御を用いたRF-MBE GaN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB10 BP/Si(001)上への立方晶GaNRF-MBE成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 22aXB-3 銅ハライドの電子状態の圧力依存性(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- rf-MBE法によるSi基板上立方晶GaN成長法の改良 (第42回同志社大学理工学研究所研究発表会,2004年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム講演予稿集)
- 26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- GaAs/AlAsヘテロ構造におけるAlAs層の横方向酸化に関する研究 : エピキタシャル成長I
- Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- 第33回結晶成長討論会(通称:放談会)参加報告(学会活動報告)
- 工業的重要電子材料の結晶成長国際スクール(ISCGTIEM)インド・マイソール参加報告(閑話休題)
- 4端子MOSFETの横方向磁界による平行・垂直磁気抵抗効果
- 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
- 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性
- 第33回結晶成長討論会(通称 : 放談会)参加報告
- 準安定立方晶閃亜鉛鉱構造III族窒化物半導体結晶成長 : その将来への期待(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 業績賞創設について(学会活動報告)
- 窒素励起モード切換MEEを用いるRF-MBE結晶成長法 (第44回同志社大学理工学研究所研究発表報告会2006年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
- 01aB03 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi(111)基板上のh-GaN膜の性質(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- 18aA03 Si上への立方晶GaNのMBE成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 結晶成長国際機構(IOCG)と結晶学国際連合(IUCr)およびその国際交流活動紹介(閑話休題)
- 歴史的人工結晶収集事業(第4章 歴史的結晶の収集,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 齢をかさねて(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 国際協力・学術協力
- GaAs系MBE成長でのRHEEDを用いた高As圧条件における基板上過剰As層 : エピキタシャル成長I
- 段差基板へMBE成長させたGaAs/AlGaAsヘテロ界面発光特性のAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
- MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 総務報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 第11回結晶成長国際夏期スクール(ISSCG-11)報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 19pPSB-54 超イオン導電体AgIを利用したAg細線の作製
- 分子線エピタキシャル(MBE)法による高砒素圧・低温条件下のGaAs成長 (第40回同志社大学理工学研究所研究発表会 2002年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
- GaAs系MBE成長での高As圧条件における基板上As吸着伊層の計測
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)