藤田 和久 | イオン工研

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概要

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関連著者

• 藤田 和久

  イオン工研

• 藤田 和久

  イオン工学研究所

• 菊池 友

  同志社大工

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 馮 潔明

  同志社大・工

• Vaccaro P.O.

  ATR環境適応通信研究所

• 藤田 和久

  ATR環境適応通信研究所

• 大鉢 忠

  同志社大・工

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• 高潔 明

  同志社大・工:学習院大学計算機センター

• 和田 元

  同志社大工

• 和田 元

  同志社大学工学部

• 大鉢 忠

  同志社大工

• Somintac A.S.

  同志社大工

• 有屋田 修

  アリオス(株)

• 菊池 友

  同志社大学工学部

• 伊藤 洋平

  同志社大学工学部

• 高木 涼

  同志社大学工学部

• 鳳桐 将之

  同志社大学工学部

• 下村 浩司

  同志社大学工学部

• 宮内 勝久

  同志社大学工学部

• 田中 奈穂

  同志社大学工学部

• 大西 由真

  イオン工学研究所

• 口野 啓史

  同志社大・工

• 中井 健二

  同志社大・工

• 建内 満

  同志社大・工

• 浅井 和宏

  同志社大・工

• 高潔 明

  同志社大・工

• 口野 啓史

  同志社大学工学部

• Somintac A.

  同志社大工

• 有屋田 修

  Arios Inc.

• 宮内 勝久

  同志社大工

• 藤田 和久

  イオン工学研

• バッカロ パブロ

  Atr環境適応通信研究所

• 浅井 和宏

  同志社大学工学部

• 和田 元

  同志社大学

• ソミンタック アルマンド

  Department Of Electrical Engineering Doshisha University

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著作論文

• 26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
• 23aB4 GaAs高指数基板上にMBE成長させたAlAs膜の横方向酸化(エピタキシャル成長I)
• 23aB3 量子井戸からのフォトルミネッセンスを用いたMBE成長におけるGa付着係数の砒素圧、結晶面方位依存性(エピタキシャル成長I)
• GaAs(111)A,(311)A面段差基板上にMBE成長した横型p-n接合を用いた発光ダイオード

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