有屋田 修 | アリオス(株)

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 有屋田 修

  アリオス(株)

• 有屋田 修

  Arios Inc.

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• Somintac A.S.

  同志社大工

• 菊池 友

  同志社大工

• Somintac A.

  同志社大工

• ソミンタック アルマンド

  Department Of Electrical Engineering Doshisha University

• 和田 元

  同志社大工

• 大鉢 忠

  同志社大工

• 藤井 範章

  同志社大工

• 安田 貴憲

  同志社大工

• 山口 哲

  同志社大工

• 中村 宣隆

  同志社大工

• 宮内 勝久

  同志社大工

• 有屋 田修

  アリオス(株)

• 和田 元

  同志社大院工

• 和田 元

  Doshisha University

• 藤田 和久

  イオン工研

• 藤田 和久

  イオン工学研究所

• 和田 元

  同志社大学工学部

• 財部 健一

  岡理大理

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 下村 浩司

  同志社大学工学部

• 菊池 友

  Department of Electrical engineering, Doshisha University

• ソミンタック アルマンド

  Department of Electrical engineering, Doshisha University

• 和田 元

  Department of Electrical engineering, Doshisha University

• 大鉢 忠

  Department of Electrical engineering, Doshisha University

• 財部 健一

  岡山理科大学

• 山邊 信彦

  同志社大学工学部

• 折出 和章

  同志社大学工学部

• 武田 祥宏

  同志社大学工学部

• 芝滝 健太郎

  同志社大学工学部

• 乾 紘輔

  同志社大学工学部

• 田渕 秀和

  岡理大理

• 田渕 秀和

  岡山理科大学

• 和田 元

  同志社大学

• 財部 健一

  岡山理科大

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著作論文

• 26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• 17pB01 活性窒素原子フラックスのその場計測・制御を用いたRF-MBE GaN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• 26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• 01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 20aPS-61 マイクロ波 ECR プラズマを用いた CN_x の作製と評価

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