中村 宣隆 | 同志社大工

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概要

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• 宮内 勝久

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• 大鉢 忠

  同志社大・理

• ソミンタック アルマンド

  Department Of Electrical Engineering Doshisha University

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著作論文

• 26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• 26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)

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