23aB4 GaAs高指数基板上にMBE成長させたAlAs膜の横方向酸化(エピタキシャル成長I)
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概要
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Characteristic of the lateral wet oxidation of AlAs layer was changed by the MBE growth condition of AlAs layer. Diffusion controlled oxidation process changes to interface reaction contorolled one when the As/Al flux ratio becomes more than 8.5.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
藤田 和久
イオン工研
-
口野 啓史
同志社大・工
-
中井 健二
同志社大・工
-
建内 満
同志社大・工
-
馮 潔明
同志社大・工
-
Vaccaro P.O.
ATR環境適応通信研究所
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藤田 和久
ATR環境適応通信研究所
-
大鉢 忠
同志社大・工
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口野 啓史
同志社大学工学部
-
高潔 明
同志社大・工:学習院大学計算機センター
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