ICCG-16準備状況・経過(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)

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概要

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著者

• 大鉢 忠

  同志社大・工

• 大鉢 忠

  同志社大・理

関連論文

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• 26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• GaAs/AlAsヘテロ構造におけるAlAs層の横方向酸化に関する研究 : エピキタシャル成長I
• Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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• 微小重力環境下における過冷却酢酸ナトリウム三水和物の電流、電圧特性と電気核形成
• 微小重力環境下での過冷却酢酸ナトリウム三水和物濃厚水溶液の電気核形成と結晶成長
• MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• 第33回結晶成長討論会(通称:放談会)参加報告(学会活動報告)
• 工業的重要電子材料の結晶成長国際スクール(ISCGTIEM)インド・マイソール参加報告(閑話休題)
• 4端子MOSFETの横方向磁界による平行・垂直磁気抵抗効果
• 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
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• 第33回結晶成長討論会(通称 : 放談会)参加報告
• 準安定立方晶閃亜鉛鉱構造III族窒化物半導体結晶成長 : その将来への期待(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
• 業績賞創設について(学会活動報告)
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• 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
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• 結晶成長国際機構(IOCG)と結晶学国際連合(IUCr)およびその国際交流活動紹介(閑話休題)
• 歴史的人工結晶収集事業(第4章 歴史的結晶の収集,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 齢をかさねて(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 国際協力・学術協力
• GaAs系MBE成長でのRHEEDを用いた高As圧条件における基板上過剰As層 : エピキタシャル成長I
• 段差基板へMBE成長させたGaAs/AlGaAsヘテロ界面発光特性のAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
• MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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• 総務報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 第11回結晶成長国際夏期スクール(ISSCG-11)報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 19pPSB-54 超イオン導電体AgIを利用したAg細線の作製
• 微小重力環境下での過冷却酢酸ナトリウム三水和物濃厚水溶液界面の干渉縞観察と電気核形成
• 過冷却酢酸ナトリウム三水和物水溶液の成長速度と水和過程
• 過冷却酢酸ナトリウム三水和物水溶液における電気核生成の活性化過程について : 溶液成長III
• 2a-K-3 ホーランダイト型構造を持つ一次元超イオン伝導体のNMR
• 2a-K-2 ホランダイト型構造一次元超イオン伝導体の周波数依存イオン伝導率の測定
• 分子線エピタキシャル(MBE)法による高砒素圧・低温条件下のGaAs成長 (第40回同志社大学理工学研究所研究発表会 2002年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• 固相成長
• GaAs系MBE成長での高As圧条件における基板上As吸着伊層の計測
• 固相気相法によるAg-In-S, Cu-In-S系欠陥型スピネル単結晶成長 : 気相成長
• サイクリックボルタンメトリー法を用いた酢酸ナトリウム三水和物水溶液における電気核生成の研究 (銅アマルガム電極の活性化過程) : 溶液成長II
• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
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• 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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• タイトル無し

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