18aA03 Si上への立方晶GaNのMBE成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Growth of cubic GaN on Si(001) and Si(111) substrates was presented. 3C-SiC, which formed by carbonization of a Si surface, worked as a good template for c-GaN heteroepitaxial growth. Cubic GaN was grown under Ga rich conditions. Nnear stoichiometry. The purity of c-GaN was measured from the ratio of integrated (002)_c and (101^^-1)_h intensity.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
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