GaAs系MBE成長でのRHEEDを用いた高As圧条件における基板上過剰As層 : エピキタシャル成長I
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概要
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An As adsorption layer on the GaAs(100) substrate was indicated by in situ RHEED measurements during MBE growth at high As pressure. A measured decrease of growth rate suggests that Ga evaporates from As overlayer thus decreasing the amount of Ga reaching growth sites on the GaAs substrate surface.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
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