ミリニコフ ゲナディ | 大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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概要
関連著者
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ミリニコフ ゲナディ
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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森 伸也
大阪大学 大学院工学研究科
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森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
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森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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ミリニコフ ゲナディ
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
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ミリニコフ ゲナディ
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
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江崎 達也
広島大学大学院先端物質科学研究科
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三成 英樹
大阪大学大学院工学研究科
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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伊藤 公平
独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科
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植松 真司
独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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植松 真司
独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科
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三成 英樹
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
著作論文
- 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 : KMCとNEGFによる研究(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)