ミリニコフ ゲナディ | 大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

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概要

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関連著者

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 江崎 達也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

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著作論文

• 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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