自立シリコン板における音響フォノン散乱(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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• 極めて薄いSi SOI MOSFETにおける電子輸送特性に音響フォノンの変調効果が与える影響を調べるため, Si板における音響フォノンモードを計算し, その結果を用いて電子移動度を求めた.得られた結果とバルク音響フォノンを用いた結果とを比較することにより, バルクモデルの妥当性について検討を行った.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-09-20

著者

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• 宇野 重康

  クレアモント大学院大学数理科学部

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

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